IRFZ44NSTRLPBF vs IRF540NSTRLPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFZ44NSTRLPBF द्वारा Infineon और IRF540NSTRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFZ44NSTRLPBF | IRF540NSTRLPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity | N-Channel | — |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 49 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | 17.5 mOhm at VGS=10V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 42 nC | — |
| Power Dissipation (TC) | 94 W | — |
| Power Dissipation (TA) | 3.8 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C | -55 C to +175 C |
| पैकेज | D2PAK (TO-263) | D2PAK (TO-263), surface mount |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET | HEXFET (IR MOSFET) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant (Pb-free) |
| Lead-Free (PBF suffix) | Yes | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | 110 A (per datasheet pulse curve) |
| On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V | — | 44 mOhm |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Total Gate Charge Qg | — | 47.3 nC (typical) |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 130 W |
| Packaging | — | Tape & Reel (13-inch reel) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (HEXFET ruggedized) |