IRFZ44NSTRLPBF vs IRF540NSTRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFZ44NSTRLPBF بذریعہ Infineon اور IRF540NSTRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFZ44NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 49 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 17.5 mOhm at VGS=10V —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC —
Power Dissipation (TC) 94 W —
Power Dissipation (TA) 3.8 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C -55 C to +175 C
پیکیج D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263), surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET HEXFET (IR MOSFET)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (Pb-free)
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (Idm) — 110 A (per datasheet pulse curve)
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V — 44 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) — 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge Qg — 47.3 nC (typical)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 130 W
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
Avalanche Energy Rated — Yes (HEXFET ruggedized)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں