IRFZ48NSTRLPBF vs IRLR3636TRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFZ48NSTRLPBF द्वारा Infineon और IRLR3636TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF - 55V 64A N-Ch MOSFET, 14mΩ D2PAK | Infineon

IRFZ48NSTRLPBF - 55V 64A N-Ch MOSFET, 14mΩ D2PAK | Infineon

IRFZ48NSTRLPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF - 60V 50A N-Ch HEXFET MOSFET, DPAK | Infineon

IRLR3636TRPBF - 60V 50A N-Ch HEXFET MOSFET, DPAK | Infineon

IRLR3636TRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFZ48NSTRLPBF IRLR3636TRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel Power MOSFET N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) 14 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 54 nC —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 130 W —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 3.8 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55C to +175C —
पैकेज D2PAK (TO-263) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (13-inch reel, TRL) —
Lead Finish Lead-free (PBF) matte tin —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Technology Family HEXFET advanced process technology —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 60 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25C — 50 A
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 100C — [DATA_NEEDED: I_D at 100C]
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum R_DS(on) at V_GS = 10V — 6.8 mOhm
Typical R_DS(on) at V_GS = 10V — 5.4 mOhm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) range]
Total Gate Charge (Q_G) — 33 nC
Maximum Power Dissition (P_D) at T_C = 25C — 143 W
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55C to +175C
Technology — IR HEXFET / IR MOSFET
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

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