IRFZ48NSTRLPBF vs IRLR3636TRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFZ48NSTRLPBF bằng Infineon và IRLR3636TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF - 55V 64A N-Ch MOSFET, 14mΩ D2PAK | Infineon

IRFZ48NSTRLPBF - 55V 64A N-Ch MOSFET, 14mΩ D2PAK | Infineon

IRFZ48NSTRLPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF - 60V 50A N-Ch HEXFET MOSFET, DPAK | Infineon

IRLR3636TRPBF - 60V 50A N-Ch HEXFET MOSFET, DPAK | Infineon

IRLR3636TRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFZ48NSTRLPBF IRLR3636TRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel Power MOSFET N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) 14 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 54 nC —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 130 W —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 3.8 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55C to +175C —
Hộp D2PAK (TO-263) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (13-inch reel, TRL) —
Lead Finish Lead-free (PBF) matte tin —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Technology Family HEXFET advanced process technology —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 60 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25C — 50 A
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 100C — [DATA_NEEDED: I_D at 100C]
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum R_DS(on) at V_GS = 10V — 6.8 mOhm
Typical R_DS(on) at V_GS = 10V — 5.4 mOhm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) range]
Total Gate Charge (Q_G) — 33 nC
Maximum Power Dissition (P_D) at T_C = 25C — 143 W
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55C to +175C
Technology — IR HEXFET / IR MOSFET
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá