IRLR2905TRPBF vs IRFR3607TRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLR2905TRPBF द्वारा Infineon और IRFR3607TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF - 55V 42A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR2905TRPBF - 55V 42A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR2905TRPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF - 75V 56A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon | DPAK

IRFR3607TRPBF - 75V 56A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon | DPAK

IRFR3607TRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRLR2905TRPBF IRFR3607TRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) IR HEXFET (planar DMOS)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 27 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] 4 V
Gate Charge (Qg) 32 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55C to +175C —
पैकेज TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Gate Drive Logic-level compatible —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 56 A
Calculated Die Drain Current — 80 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A
Total Gate Charge (Qg) — 56 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD, Tc) — 140 W
Thermal Resistance (RthJC) — 1.0 C/W
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention)
Avalanche SOA — Fully characterized
RoHS / Lead-Free — Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3)

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध