IRLR2905TRPBF vs IRFR3607TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLR2905TRPBF tarafından Infineon ve IRFR3607TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLR2905TRPBF IRFR3607TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) IR HEXFET (planar DMOS)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 27 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] 4 V
Gate Charge (Qg) 32 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C —
Paket TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Gate Drive Logic-level compatible —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 56 A
Calculated Die Drain Current — 80 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A
Total Gate Charge (Qg) — 56 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD, Tc) — 140 W
Thermal Resistance (RthJC) — 1.0 C/W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention)
Avalanche SOA — Fully characterized
RoHS / Lead-Free — Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin