IRLR2905TRPBF vs IRLR2705TRLPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLR2905TRPBF द्वारा Infineon और IRLR2705TRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRLR2905TRPBF | IRLR2705TRLPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) | IR MOSFET (HEXFET, 5th generation) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 27 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Gate Charge (Qg) | 32 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 110 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55C to +175C | — |
| पैकेज | TO-252AA (DPAK), surface mount | TO-252AA (DPAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Rated | Yes | Yes (fully avalanche rated) |
| Lead-Free / RoHS | Yes / Compliant | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH) |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET (HexFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 28 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 40 mOhm |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.0 V to 2.0 V (logic-level) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 68 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +175C |
| Lead-Free / RoHS Status | — | Lead-Free, RoHS Compliant |
| Configuration | — | Single N-Channel |