IS43TR16256AL-125KBLI-TR vs H5TC4G63CFR-H9J तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IS43TR16256AL-125KBLI-TR द्वारा ISSI, Integrated Silicon Solution Inc और H5TC4G63CFR-H9J द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBLI-TR IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR ✓ सक्रिय
SK hynix
H5TC4G63CFR-H9J H5TC4G63CFR-H9J - 4Gb DDR3L SDRAM 96-Ball TFBGA | SK Hynix

H5TC4G63CFR-H9J - 4Gb DDR3L SDRAM 96-Ball TFBGA | SK Hynix

H5TC4G63CFR-H9J ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IS43TR16256AL-125KBLI-TR H5TC4G63CFR-H9J
ब्रांड ISSI, Integrated Silicon Solution Inc SK hynix
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
यूनिट मूल्य (USD) $8.25 —
मेमोरी प्रकार DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
मेमोरी आकार 4Gbit (256M x 16) —
डेटा बस चौड़ाई 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
डेटा दर 1600 Mbps —
CAS लेटेंसी 11 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V ± 0.1V, -0.067V 1.35V +0.100/-0.067V
Backward Compatible Voltage 1.5V —
Row Cycle Time (tRC) 20 ns —
Row Active Time (tRAS) 20 ns —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40°C to +95°C (TC) —
पैकेज 96-TWBGA (9x13 mm) 96-ball TFBGA
माउंटिंग प्रकार Surface Mount —
Burst Length 8 —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Refresh Modes Auto-refresh, Self-refresh —
RoHS स्थिति Compliant —
Density — 4Gb
संगठन — 256M x 16
Speed Grade — -H9 (1866 Mbps / PC3-14900)
Number of Terminals — 96
Temperature Grade — Industrial
Lead-Free — Yes
हैलोजन फ्री — Yes
RoHS Compliant — Yes
Clock Input — Fully differential (CK, CK)
Data Strobe — Differential (DQS, DQS)
On-Chip DLL — Yes
Data Mask (DM) — Yes

डेटाशीट और संसाधन

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