ISC037N12NM6ATMA1 vs IAUS300N08S5N011TATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC037N12NM6ATMA1 द्वारा Infineon और IAUS300N08S5N011TATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IAUS300N08S5N011TATMA1 - 80V 300A 1.1mOhm OptiMOS-5 MOSFET | Infineon
IAUS300N08S5N011TATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISC037N12NM6ATMA1 | IAUS300N08S5N011TATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Technology | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) | OptiMOS-5 (trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | 19.2 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) at Tc | 163 A | — |
| On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V | 3.7 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 214 W | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] | — |
| Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) | PG-HDSOP-16-2 (HDSOP-16) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C (junction) | -55 C to +175 C (Tj) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse) | — |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tj) | — | 300 A |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 375 W |
| R_DS(on) Max @ V_GS=10V | — | 1.1 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3 V (max) |
| Total Gate Charge (Q_G) @ 10V | — | 231 nC |
| Output Capacitance (C_OSS) | — | 130 pF (typ) |
| Reverse Transfer Capacitance (C_RSS) | — | 16.25 nF (typ) |
| Number of Channels | — | 1 |
| Automotive Qualified | — | Yes (Infineon automotive part) |