ISC037N12NM6ATMA1 vs IAUS300N08S5N011TATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC037N12NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUS300N08S5N011TATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISC037N12NM6ATMA1 ISC037N12NM6ATMA1 - 120V 3.7mOhm N-Channel OptiMOS 6 | Infineon

ISC037N12NM6ATMA1 - 120V 3.7mOhm N-Channel OptiMOS 6 | Infineon

ISC037N12NM6ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUS300N08S5N011TATMA1 IAUS300N08S5N011TATMA1 - 80V 300A 1.1mOhm OptiMOS-5 MOSFET | Infineon

IAUS300N08S5N011TATMA1 - 80V 300A 1.1mOhm OptiMOS-5 MOSFET | Infineon

IAUS300N08S5N011TATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ISC037N12NM6ATMA1 IAUS300N08S5N011TATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS-5 (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vds) 120 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 19.2 A —
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc 163 A —
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V 3.7 mOhm —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Power Dissipation at Tc 214 W —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg total] —
پیکیج PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) PG-HDSOP-16-2 (HDSOP-16)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C (junction) -55 C to +175 C (Tj)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 80 V
Continuous Drain Current (I_D, Tj) — 300 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 375 W
R_DS(on) Max @ V_GS=10V — 1.1 mOhm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3 V (max)
Total Gate Charge (Q_G) @ 10V — 231 nC
Output Capacitance (C_OSS) — 130 pF (typ)
Reverse Transfer Capacitance (C_RSS) — 16.25 nF (typ)
Number of Channels — 1
Automotive Qualified — Yes (Infineon automotive part)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں