ISC046N13NM6ATMA1 vs ISC080N10NM6ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC046N13NM6ATMA1 द्वारा Infineon और ISC080N10NM6ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISC046N13NM6ATMA1 | ISC080N10NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 6 | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 135 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 142 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 211 W | — |
| पैकेज / केस | PG-TDSON-8 | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C | -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | — |
| Gate Drive (recommended) | 10 V (typical) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Product Family | — | OptiMOS™ 6 100V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 13 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 75 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 100 W |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A | — | 8.05 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.3 V at 36 µA |
| पैकेज | — | PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) |
| MSL स्तर | — | 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) |
| Lead-Free | — | Yes |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| Qualification | — | Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) |