ISC046N13NM6ATMA1 vs ISC080N10NM6ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC046N13NM6ATMA1 tarafından Infineon ve ISC080N10NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC046N13NM6ATMA1 | ISC080N10NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 6 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 135 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 142 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 211 W | — |
| Paket / Kas | PG-TDSON-8 | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C | -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | — |
| Gate Drive (recommended) | 10 V (typical) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Product Family | — | OptiMOS™ 6 100V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 13 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 75 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 100 W |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A | — | 8.05 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.3 V at 36 µA |
| Paket | — | PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) |
| MSL Seviyesi | — | 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Klorürsüz | — | Yes |
| Qualification | — | Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) |