ISC060N10NM6ATMA1 vs ISC011N06LM5ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC060N10NM6ATMA1 द्वारा Infineon और ISC011N06LM5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
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ISC060N10NM6ATMA1 - 100V 97A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
ISC060N10NM6ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISC060N10NM6ATMA1 | ISC011N06LM5ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 6 100 V | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 15 A | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 97 A | 288 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 25 A | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.3 V (typical) | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 125 W | 188 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55C to +175C |
| पैकेज | PG-TDSON-8 FL (5.15 x 6.15 mm) | PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 6 (thin-wafer trench) | OptiMOS 5 |
| Polarity | N-Channel | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Part Number | — | ISC011N06LM5ATMA1 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 1.15 mOhm |
| पिन काउंट | — | 8 |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |