ISC060N10NM6ATMA1 vs ISC011N06LM5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC060N10NM6ATMA1 tarafından Infineon ve ISC011N06LM5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
ISC060N10NM6ATMA1 - 100V 97A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
ISC060N10NM6ATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC060N10NM6ATMA1 | ISC011N06LM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 6 100 V | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 15 A | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 97 A | 288 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 25 A | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.3 V (typical) | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 125 W | 188 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55C to +175C |
| Paket | PG-TDSON-8 FL (5.15 x 6.15 mm) | PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 6 (thin-wafer trench) | OptiMOS 5 |
| Polarity | N-Channel | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Part Number | — | ISC011N06LM5ATMA1 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 1.15 mOhm |
| Pin Sayısı | — | 8 |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |