ISC0802NLSATMA1 vs ISC080N10NM6ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC0802NLSATMA1 द्वारा Infineon और ISC080N10NM6ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISC0802NLSATMA1 | ISC080N10NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Part Number | ISC0802NLSATMA1 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Power MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 150 A | 75 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 22 A | 13 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | 3.6 mOhm | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 125 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C | -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) |
| पैकेज | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS™ 6 100V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 100 V |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 100 W |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A | — | 8.05 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.3 V at 36 µA |
| MSL स्तर | — | 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) |
| Lead-Free | — | Yes |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| Qualification | — | Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) |