ISC0802NLSATMA1 vs ISC080N10NM6ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của ISC0802NLSATMA1 bằng Infineon và ISC080N10NM6ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
ISC080N10NM6ATMA1 - 100V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
ISC080N10NM6ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | ISC0802NLSATMA1 | ISC080N10NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Part Number | ISC0802NLSATMA1 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Power MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 150 A | 75 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 22 A | 13 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | 3.6 mOhm | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 125 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +175 C | -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) |
| Hộp | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS™ 6 100V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 100 V |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 100 W |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A | — | 8.05 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.3 V at 36 µA |
| Cấp MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Đông trùng haogen | — | Yes |
| Qualification | — | Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) |