ISC088N08NM6ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC088N08NM6ATMA1 द्वारा Infineon और IAUCN08S7L033ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
ISC088N08NM6ATMA1 ISC088N08NM6ATMA1 - 80V 8.8mOhm N-Channel MOSFET | Infineon

ISC088N08NM6ATMA1 - 80V 8.8mOhm N-Channel MOSFET | Infineon

ISC088N08NM6ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर ISC088N08NM6ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 C 12.1 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C 59 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V 8.8 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (PD) at Ta=25 C 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25 C 71 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55 C to +175 C —
पैकेज PG-TDSON-8 FL PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)
RoHS स्थिति Compliant (per distributor listings) Compliant
Technology Trench-gate OptiMOS 6 OptiMOS 7 trench MOSFET
Series — Automotive OptiMOS 7
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel MOSFET
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55°C to +175°C (TJ)
Qualification — Automotive Grade (per Infineon datasheet header)

डेटाशीट और संसाधन

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