ISC088N08NM6ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC088N08NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN08S7L033ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISC088N08NM6ATMA1 ISC088N08NM6ATMA1 - 80V 8.8mOhm N-Channel MOSFET | Infineon

ISC088N08NM6ATMA1 - 80V 8.8mOhm N-Channel MOSFET | Infineon

ISC088N08NM6ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ISC088N08NM6ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 C 12.1 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C 59 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V 8.8 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (PD) at Ta=25 C 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25 C 71 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +175 C —
پیکیج PG-TDSON-8 FL PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)
RoHS اسٹیٹس Compliant (per distributor listings) Compliant
Technology Trench-gate OptiMOS 6 OptiMOS 7 trench MOSFET
Series — Automotive OptiMOS 7
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55°C to +175°C (TJ)
Qualification — Automotive Grade (per Infineon datasheet header)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں