K4A4G085WD-BCRC vs K3LK4L40DM-BGCT तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A4G085WD-BCRC द्वारा Samsung Electronics और K3LK4L40DM-BGCT द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT - Samsung DRAM Memory IC | Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A4G085WD-BCRC | K3LK4L40DM-BGCT |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | DRAM |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| संगठन | 512M x 8 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM (D-die) | DRAM (SDRAM component) |
| डेटा दर | 2400 Mb/s (PC2400) | [DATA_NEEDED: Data Rate] |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | — |
| पैकेज | FBGA-78 (TFBGA) | — |
| Number of Terminals | 78 | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| Access Mode | Multi-bank page burst | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |
| Density | — | [DATA_NEEDED: Density] |
| Organization (x-width) | — | [DATA_NEEDED: Organization] |
| Supply Voltage Class | — | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] |
| Package Type | — | BGA (per -BGC ordering-code suffix) |
| Package Ball Count | — | [DATA_NEEDED: Ball Count] |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Interval] |
| Lead Free | — | [DATA_NEEDED: Lead-Free Status] |
| Packaging | — | Tape & Reel (per -T-style suffix convention) [DATA_NEEDED: confirmed packaging] |