K4A4G085WD-BCRC vs K3LK4L40DM-BGCT השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A4G085WD-BCRC מאת Samsung Electronics ו K3LK4L40DM-BGCT מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT - Samsung DRAM Memory IC | Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | K4A4G085WD-BCRC | K3LK4L40DM-BGCT |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | DRAM |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| ארגון | 512M x 8 | — |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM (D-die) | DRAM (SDRAM component) |
| קצב נתונים | 2400 Mb/s (PC2400) | [DATA_NEEDED: Data Rate] |
| מתח אספקה | 1.2 V | — |
| מארז | FBGA-78 (TFBGA) | — |
| Number of Terminals | 78 | — |
| ממשק | Parallel | — |
| Access Mode | Multi-bank page burst | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| טווח טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |
| Density | — | [DATA_NEEDED: Density] |
| Organization (x-width) | — | [DATA_NEEDED: Organization] |
| Supply Voltage Class | — | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] |
| Package Type | — | BGA (per -BGC ordering-code suffix) |
| Package Ball Count | — | [DATA_NEEDED: Ball Count] |
| טמפרטורת פעולה | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Interval] |
| Lead Free | — | [DATA_NEEDED: Lead-Free Status] |
| Packaging | — | Tape & Reel (per -T-style suffix convention) [DATA_NEEDED: confirmed packaging] |