K4A4G085WD-BCRC vs K3LK4L40DM-BGCT مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A4G085WD-BCRC بواسطة Samsung Electronics و K3LK4L40DM-BGCT بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT - Samsung DRAM Memory IC | Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | K4A4G085WD-BCRC | K3LK4L40DM-BGCT |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| التنظيم | 512M x 8 | — |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM (D-die) | DRAM (SDRAM component) |
| معدل البيانات | 2400 Mb/s (PC2400) | [DATA_NEEDED: Data Rate] |
| جهد التغذية | 1.2 V | — |
| العلبة | FBGA-78 (TFBGA) | — |
| Number of Terminals | 78 | — |
| الواجهة | Parallel | — |
| Access Mode | Multi-bank page burst | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |
| Density | — | [DATA_NEEDED: Density] |
| Organization (x-width) | — | [DATA_NEEDED: Organization] |
| Supply Voltage Class | — | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] |
| Package Type | — | BGA (per -BGC ordering-code suffix) |
| Package Ball Count | — | [DATA_NEEDED: Ball Count] |
| درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Interval] |
| Lead Free | — | [DATA_NEEDED: Lead-Free Status] |
| Packaging | — | Tape & Reel (per -T-style suffix convention) [DATA_NEEDED: confirmed packaging] |