K4A4G165WD-BCRC vs K4A4G165WE-BCTD तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A4G165WD-BCRC द्वारा Samsung Electronics और K4A4G165WE-BCTD द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A4G165WE-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 1.2V | Samsung
K4A4G165WE-BCTD ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A4G165WD-BCRC | K4A4G165WE-BCTD |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | DRAM |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 4 Gbit | — |
| संगठन | 256M x 16 | — |
| Speed Bin | DDR4-2400 (BCRC) | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | — |
| पैकेज | FBGA-96 | FBGA-96 (TFBGA) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Generation | Samsung D-die | — |
| इंटरफ़ेस प्रकार | DDR4 (double data rate, parallel) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| RoHS स्थिति | Lead free / RoHS Compliant | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| मेमोरी आकार | — | 4 Gbit |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel, x16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Die Generation | — | E-die |
| Terminal Count | — | 96 |
| Speed Grade | — | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] |
| Product Status | — | Active |
| Datasheet Revision | — | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 |
| Burst Length | — | BL8 (JEDEC DDR4) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |