K4A4G165WD-BCRC vs K4A4G165WE-BCTD موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G165WD-BCRC بذریعہ Samsung Electronics اور K4A4G165WE-BCTD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A4G165WE-BCTD K4A4G165WE-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 1.2V | Samsung

K4A4G165WE-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 1.2V | Samsung

K4A4G165WE-BCTD ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WE-BCTD
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs DRAM
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile DRAM)
Density 4 Gbit —
تنظیم 256M x 16 —
Speed Bin DDR4-2400 (BCRC) —
سپلائی وولٹیج 1.2 V —
پیکیج FBGA-96 FBGA-96 (TFBGA)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Process Generation Samsung D-die —
انٹرفیس ٹائپ DDR4 (double data rate, parallel) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Data Mask Function Yes —
Auto Precharge Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C
RoHS اسٹیٹس Lead free / RoHS Compliant Compliant (per JLCPCB listing)
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
میموری سائز — 4 Gbit
Memory Organization — 256M x 16
انٹرفیس — Parallel, x16
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Die Generation — E-die
Terminal Count — 96
Speed Grade — [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix]
Product Status — Active
Datasheet Revision — K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016
Burst Length — BL8 (JEDEC DDR4)
Bank Group Architecture — Yes (DDR4)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں