K4A4G165WE-BCTD vs K4A4G165WD-BCTD तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A4G165WE-BCTD द्वारा Samsung Electronics और K4A4G165WD-BCTD द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A4G165WE-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 1.2V | Samsung
K4A4G165WE-BCTD ✓ सक्रियSamsung Electronics
K4A4G165WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM x16 2666Mbps | Samsung
K4A4G165WD-BCTD ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A4G165WE-BCTD | K4A4G165WD-BCTD |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | DRAM | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4 Gbit | — |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel, x16 | SSTL-12 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| Die Generation | E-die | — |
| पैकेज | FBGA-96 (TFBGA) | 96-ball FBGA |
| Terminal Count | 96 | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C | 0C to +85C (commercial) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Speed Grade | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (per JLCPCB listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Product Status | Active | — |
| Datasheet Revision | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 | — |
| Burst Length | BL8 (JEDEC DDR4) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| संगठन | — | 256M x 16 |
| डेटा दर | — | 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade) |
| Core Supply (VPP) | — | 2.5 V |
| Data Mask | — | Yes (DM per byte lane) |
| Bank Architecture | — | 16 banks / 4 bank groups |
| On-Die Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes (external RZQ resistor) |
| CRC / CA Parity | — | CRC read/write support |
| Reset | — | Asynchronous reset (RESET_n) |