K4A4G165WE-BCTD vs K4A4G165WD-BCTD موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G165WE-BCTD بذریعہ Samsung Electronics اور K4A4G165WD-BCTD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A4G165WE-BCTD | K4A4G165WD-BCTD |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | DRAM | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| میموری سائز | 4 Gbit | — |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| انٹرفیس | Parallel, x16 | SSTL-12 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| Die Generation | E-die | — |
| پیکیج | FBGA-96 (TFBGA) | 96-ball FBGA |
| Terminal Count | 96 | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +85C | 0C to +85C (commercial) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Speed Grade | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (per JLCPCB listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Product Status | Active | — |
| Datasheet Revision | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 | — |
| Burst Length | BL8 (JEDEC DDR4) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| تنظیم | — | 256M x 16 |
| ڈیٹا ریٹ | — | 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade) |
| Core Supply (VPP) | — | 2.5 V |
| Data Mask | — | Yes (DM per byte lane) |
| Bank Architecture | — | 16 banks / 4 bank groups |
| On-Die Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes (external RZQ resistor) |
| CRC / CA Parity | — | CRC read/write support |
| Reset | — | Asynchronous reset (RESET_n) |