K4A4G165WE-BCTD vs K4A4G165WD-BCTD So sánh
So sánh chi tiết song song của K4A4G165WE-BCTD bằng Samsung Electronics và K4A4G165WD-BCTD bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4A4G165WE-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 1.2V | Samsung
K4A4G165WE-BCTD ✓ Hoạt độngSamsung Electronics
K4A4G165WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM x16 2666Mbps | Samsung
K4A4G165WD-BCTD ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4A4G165WE-BCTD | K4A4G165WD-BCTD |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | DRAM | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| Kích thước bộ nhớ | 4 Gbit | — |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| Giao diện | Parallel, x16 | SSTL-12 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| Die Generation | E-die | — |
| Hộp | FBGA-96 (TFBGA) | 96-ball FBGA |
| Terminal Count | 96 | — |
| Nhiệt độ hoạt động | 0C to +85C | 0C to +85C (commercial) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Speed Grade | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Product Status | Active | — |
| Datasheet Revision | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 | — |
| Burst Length | BL8 (JEDEC DDR4) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Tổ chức | — | 256M x 16 |
| Tốc độ dữ liệu | — | 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade) |
| Core Supply (VPP) | — | 2.5 V |
| Data Mask | — | Yes (DM per byte lane) |
| Bank Architecture | — | 16 banks / 4 bank groups |
| On-Die Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes (external RZQ resistor) |
| CRC / CA Parity | — | CRC read/write support |
| Reset | — | Asynchronous reset (RESET_n) |