K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WB-BIRC तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G085WB-BICH द्वारा Samsung Electronics और K4A8G085WB-BIRC द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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K4A8G085WB-BICH K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH ✓ सक्रिय
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K4A8G085WB-BIRC K4A8G085WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BIRC ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर K4A8G085WB-BICH K4A8G085WB-BIRC
ब्रांड Samsung Electronics Samsung Electronics
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
स्टॉक स्थिति — In Stock
यूनिट मूल्य (USD) — $6.56
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8Gb 8 Gb
संगठन 1G x 8 1G x 8
सप्लाई वोल्टेज 1.2V 1.2 V
डेटा दर 2400 Mbps (DDR4-2400) 2400 Mbps
पैकेज 78-ball FBGA 78-FBGA
ऑपरेटिंग तापमान 0°C to 85°C -40°C to 95°C
Max Supply Current 170mA —
Burst Length BL8, BL16 8, 16
CAS लेटेंसी Programmable [DATA_NEEDED: CAS Latency]
On-Die ECC Yes —
Data Bus Inversion Yes —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Die Revision B-die —
Number of Terminals — 78
Refresh Cycles — 8192
Die Family — B-die
इंटरफ़ेस — SSTL-12
माउंटिंग प्रकार — Surface Mount

डेटाशीट और संसाधन

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