K4A8G085WB-BICR vs MT40A1G8SA-075:E तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G085WB-BICR द्वारा Samsung Electronics और MT40A1G8SA-075:E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial
K4A8G085WB-BICR ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G085WB-BICR | MT40A1G8SA-075:E |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | SDRAM - DDR4 |
| Density | 8 Gb | — |
| संगठन | 1G x 8 | — |
| डेटा दर | 2400 Mbps | 2666 MT/s |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V (VDD/VDDQ) | — |
| Number of Banks | 16 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| पैकेज | 78-ball FBGA | 78-FBGA (7.5x11 mm) |
| पिन काउंट | 78 | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | Industrial (I-grade) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] | 0°C to +95°C |
| Die / Process | Samsung 8Gb B-die DDR4 | — |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Refresh Management | Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported | — |
| मेमोरी आकार | — | 8Gbit (1G x 8) |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Refresh Time | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| Write Leveling | — | Supported |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Supported |
| CRC Function | — | Supported |
| Data Mask Function | — | Supported |