K4A8G085WB-BIWE vs K4A8G085WB-BCRC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G085WB-BIWE द्वारा Samsung Electronics और K4A8G085WB-BCRC द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung
K4A8G085WB-BCRC ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G085WB-BIWE | K4A8G085WB-BCRC |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| डेटा दर | 3200 Mbps | 2400 Mbps |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | 1.2 V |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to +85°C | 0°C to 85°C |
| पैकेज | 78-FBGA | 78-ball FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | 0.175 ns |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| संगठन | — | 1G x 8 |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Technology | — | CMOS |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |