K4A8G085WB-BIWE vs K4A8G085WB-BCRC 比較
詳細並排比較 K4A8G085WB-BIWE 由 Samsung Electronics 與 K4A8G085WB-BCRC 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
規格比較
| 參數 | K4A8G085WB-BIWE | K4A8G085WB-BCRC |
|---|---|---|
| 品牌 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 記憶體類型 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 記憶體容量 | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| 資料速率 | 3200 Mbps | 2400 Mbps |
| 供應電壓 | 1.2 V | 1.2 V |
| 工作溫度 | 0°C to +85°C | 0°C to 85°C |
| 封裝 | 78-FBGA | 78-ball FBGA |
| 安裝類型 | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | 0.175 ns |
| CAS 延遲 | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| RoHS 狀態 | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| 無鹵素 | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| 組織 | — | 1G x 8 |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Technology | — | CMOS |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |