K4A8G085WB-BIWE vs K4A8G085WB-BCRC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G085WB-BIWE מאת Samsung Electronics ו K4A8G085WB-BCRC מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G085WB-BIWE | K4A8G085WB-BCRC |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| קצב נתונים | 3200 Mbps | 2400 Mbps |
| מתח אספקה | 1.2 V | 1.2 V |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to +85°C | 0°C to 85°C |
| מארז | 78-FBGA | 78-ball FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | 0.175 ns |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| ארגון | — | 1G x 8 |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Technology | — | CMOS |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |