K4A8G085WC vs K4A8G085WC-BIWE तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G085WC द्वारा Samsung Electronics और K4A8G085WC-BIWE द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics
K4A8G085WC ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G085WC | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| संगठन | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Speed | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | — |
| Supply Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Clock Frequency | 1333 MHz (1333.333 GHz nominal, per web data) | — |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BITD) | -40 C to +95 C | — |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BCTD) | 0 C to +95 C | — |
| पैकेज | 78-ball FBGA (78FBGA) | 78-FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| डेटा दर | — | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -40°C to +95°C |
| इंटरफ़ेस | — | POD-12 |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| CAS लेटेंसी | — | 22 (CL22) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |