K4A8G085WC vs K4A8G085WC-BIWE השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G085WC מאת Samsung Electronics ו K4A8G085WC-BIWE מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics
K4A8G085WC ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G085WC | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| ארגון | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Speed | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) | — |
| מתח אספקה | 1.2 V | — |
| Supply Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Clock Frequency | 1333 MHz (1333.333 GHz nominal, per web data) | — |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BITD) | -40 C to +95 C | — |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BCTD) | 0 C to +95 C | — |
| מארז | 78-ball FBGA (78FBGA) | 78-FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| קצב נתונים | — | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -40°C to +95°C |
| ממשק | — | POD-12 |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| השהיית CAS | — | 22 (CL22) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |