K4A8G085WC vs K4A8G085WC-BIWE موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WC بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G085WC-BIWE بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics
K4A8G085WC ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G085WC | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| تنظیم | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Speed | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | — |
| Supply Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Clock Frequency | 1333 MHz (1333.333 GHz nominal, per web data) | — |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BITD) | -40 C to +95 C | — |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BCTD) | 0 C to +95 C | — |
| پیکیج | 78-ball FBGA (78FBGA) | 78-FBGA |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| ڈیٹا ریٹ | — | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -40°C to +95°C |
| انٹرفیس | — | POD-12 |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| CAS لیٹنسی | — | 22 (CL22) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |