K4A8G165WC-BCPB vs K4AAG165WA-BCPB तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G165WC-BCPB द्वारा Samsung Electronics और K4AAG165WA-BCPB द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCPB K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung

K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung

K4A8G165WC-BCPB ✓ सक्रिय
Samsung Electronics
K4AAG165WA-BCPB K4AAG165WA-BCPB - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4AAG165WA-BCPB - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4AAG165WA-BCPB ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर K4A8G165WC-BCPB K4AAG165WA-BCPB
ब्रांड Samsung Electronics Samsung Electronics
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM (volatile DRAM) Volatile DRAM (DDR4 SDRAM)
मेमोरी आकार 8 Gb —
Memory Organization 512M x 16 —
डेटा दर DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) 3200 Mbps
सप्लाई वोल्टेज 1.2 V —
Operating Voltage Range 1.14 V to 1.26 V —
इंटरफ़ेस DDR4 (16-bit data bus) —
पैकेज 96-ball FBGA (TFBGA) FBGA-96
Die Generation C-die (1Y nm class) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान 0C to +95C [DATA_NEEDED: operating temperature for BCPB grade]
विशेषताएँ Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask —
Termination On-die termination (ODT), dynamic —
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL Level] —
RoHS स्थिति Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Standard JEDEC DDR4 SDRAM —
Technology — DDR4
Density — 16 Gb
संगठन — 1G x 16
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Interface Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Memory Format — DRAM
Packaging — Tray
Product Status — Active
Power Consumption — 25% lower than DDR3 (per Samsung DDR4 family)
Bank Group Architecture — Yes (DDR4 internal bank groups)
On-Die Termination (ODT) — Yes
Max Capacity Family — Up to 32GB component (Samsung DDR4 family)

डेटाशीट और संसाधन

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