K4A8G165WC-BCPB vs K4AAG165WA-BCPB مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G165WC-BCPB توسط Samsung Electronics و K4AAG165WA-BCPB توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بستهبندی، وضعیت چرخه عمر، قیمتگذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4AAG165WA-BCPB - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4AAG165WA-BCPB ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G165WC-BCPB | K4AAG165WA-BCPB |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دستهبندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | Volatile DRAM (DDR4 SDRAM) |
| اندازه حافظه | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| نرخ داده | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) | 3200 Mbps |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | — |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| رابط | DDR4 (16-bit data bus) | — |
| بستهبندی | 96-ball FBGA (TFBGA) | FBGA-96 |
| Die Generation | C-die (1Y nm class) | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature for BCPB grade] |
| ویژگیها | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Termination | On-die termination (ODT), dynamic | — |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Standard | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Technology | — | DDR4 |
| Density | — | 16 Gb |
| سازمان | — | 1G x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Interface Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Memory Format | — | DRAM |
| Packaging | — | Tray |
| Product Status | — | Active |
| Power Consumption | — | 25% lower than DDR3 (per Samsung DDR4 family) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4 internal bank groups) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Max Capacity Family | — | Up to 32GB component (Samsung DDR4 family) |