K4AAG165WM-BCWE vs K4AAG165WA-BCWE तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4AAG165WM-BCWE द्वारा Samsung Electronics और K4AAG165WA-BCWE द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4AAG165WM-BCWE | K4AAG165WA-BCWE |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | DRAM | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | — |
| संगठन | 256M x 16 (1G x 16) | — |
| डेटा दर | 3200 Mbps | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| इंटरफ़ेस | Parallel (DDR4) | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Access Time (Clock Cycle Time) | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] | — |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] | — |
| Bank Groups | 4 (x16 configuration) | — |
| Burst Length | 8 | — |
| पैकेज | 78-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] | -40C to +95C |
| Die Revision | W (WM suffix) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Operating Frequency | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) | — |
| मेमोरी आकार | — | 16 Gb (2 GB) |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V |
| Package Dimensions | — | 13 x 9 mm |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| इंटरफ़ेस प्रकार | — | Parallel, DDR4 |
| Memory Format | — | DRAM (Volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture |
| Packaging | — | Tray |
| Product Status | — | Active |