K4B4G1646 vs K4B4G1646D-BCMA0 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646 द्वारा Samsung Electronics और K4B4G1646D-BCMA0 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646D-BCMA0 ✗ जीवन की समाप्तिविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646 | K4B4G1646D-BCMA0 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | उत्पादन बंद |
| मेमोरी प्रकार | DDR3 SDRAM | DDR3 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4 Gbit | 4 Gb |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| Max Data Rate | Up to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| Clock Frequency Range | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) | 1.5 V |
| पैकेज | 96-FBGA | 96-FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +95C | 0°C to 85°C |
| On-Chip Termination (ODT) | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Die Revisions | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| डेटा दर | — | 1866 Mbps |
| Memory Interface | — | Parallel |
| RoHS | — | Compliant |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| Lead Free | — | Yes |
| लाइफसाइकिल स्थिति | — | EOL |
| Technology | — | DDR3 |
| Number of Terminals | — | 96 |