K4B4G1646 vs K4B4G1646D-BCMA0 Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4B4G1646 sa pamamagitan ng Samsung Electronics at K4B4G1646D-BCMA0 sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646D-BCMA0 ✗ Tapus ng BuhayPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4B4G1646 | K4B4G1646D-BCMA0 |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Tapus ng Buhay |
| Uri ng Memory | DDR3 SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Laki ng Memory | 4 Gbit | 4 Gb |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Interface | Parallel | — |
| Max Data Rate | Up to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| Clock Frequency Range | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) | 1.5 V |
| Packhaging | 96-FBGA | 96-FBGA |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature na Operasyon | 0C to +95C | 0°C to 85°C |
| On-Chip Termination (ODT) | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Die Revisions | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) | — |
| Tindminan RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Level ng MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Rate ng Data | — | 1866 Mbps |
| Memory Interface | — | Parallel |
| RoHS | — | Compliant |
| Wala sa Halogen | — | Yes |
| Lead Free | — | Yes |
| Katayuan ng Lifecycle | — | EOL |
| Technology | — | DDR3 |
| Number of Terminals | — | 96 |