K4B4G1646 vs K4B4G1646D-BCMA0 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646 توسط Samsung Electronics و K4B4G1646D-BCMA0 توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646D-BCMA0 ✗ پایان تولیدمقایسه مشخصات
| پارامتر | K4B4G1646 | K4B4G1646D-BCMA0 |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | پایان عمر محصول |
| نوع حافظه | DDR3 SDRAM | DDR3 SDRAM |
| اندازه حافظه | 4 Gbit | 4 Gb |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| رابط | Parallel | — |
| Max Data Rate | Up to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| Clock Frequency Range | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) | 1.5 V |
| بسته‌بندی | 96-FBGA | 96-FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | 0C to +95C | 0°C to 85°C |
| On-Chip Termination (ODT) | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Die Revisions | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| نرخ داده | — | 1866 Mbps |
| Memory Interface | — | Parallel |
| RoHS | — | Compliant |
| بدون هالوژن | — | Yes |
| Lead Free | — | Yes |
| وضعیت چرخه عمر | — | EOL |
| Technology | — | DDR3 |
| Number of Terminals | — | 96 |