K4B4G1646Q vs K4B4G1646D-BCK00 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646Q द्वारा Samsung Electronics और K4B4G1646D-BCK00 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646Q | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| डेटा बस चौड़ाई | 16 bits | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35V | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| डेटा दर | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1600 Mbps/pin |
| पैकेज | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| हैलोजन फ्री | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| CAS लेटेंसी | Programmable | 11 (at 1600 Mbps) |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0°C to 95°C (Tcase) |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| Number of Banks | — | 8 |
| RoHS | — | Compliant |