K4B4G1646Q vs K4B4G1646D-BCK00 Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4B4G1646Q sa pamamagitan ng Samsung Electronics at K4B4G1646D-BCK00 sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4B4G1646Q | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Width ng Data Bus | 16 bits | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35V | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Rate ng Data | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1600 Mbps/pin |
| Packhaging | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Wala sa Halogen | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Latensya ng CAS | Programmable | 11 (at 1600 Mbps) |
| Temperature na Operasyon | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0°C to 95°C (Tcase) |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| Number of Banks | — | 8 |
| RoHS | — | Compliant |