K6X0808C1D-BF70T vs K6X0808C1D-GF70000 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K6X0808C1D-BF70T द्वारा Samsung Electronics और K6X0808C1D-GF70000 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K6X0808C1D-GF70000 - 256Kbit 5V SRAM 70ns | Samsung | 28-SOP
K6X0808C1D-GF70000 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K6X0808C1D-BF70T | K6X0808C1D-GF70000 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | DRAM | DRAM |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| मेमोरी आकार | 256 Kbit | 256 Kbit |
| Memory Organization | 32K x 8 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Write Cycle Time - Word, Page | 70 ns | — |
| Voltage - Supply | 4.5 V to 5.5 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +85C (TA) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| पैकेज | 28-SOP | 28-SOP |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Technology | CMOS | — |
| Address Bus Width | 15 bit (A0-A14) | 15 bit (A0-A14) |
| डेटा बस चौड़ाई | 8 bit (I/O0-I/O7) | 8 bit (tri-state I/O) |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| I/O Compatibility | TTL compatible | — |
| Refresh Requirement | None (fully static operation) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| संगठन | — | 32K x 8 bit |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel |
| Supply Voltage - Min | — | 4.5 V |
| Supply Voltage - Max | — | 5.5 V |
| Technology | — | Low Power CMOS |
| Input/Output Levels | — | TTL compatible |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | — | [DATA_NEEDED: operating current] |