K6X0808C1D-BF70T vs K6X0808C1D-GF70000 So sánh

So sánh chi tiết song song của K6X0808C1D-BF70T bằng Samsung Electronics và K6X0808C1D-GF70000 bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF70T K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K6X0808C1D-GF70000 K6X0808C1D-GF70000 - 256Kbit 5V SRAM 70ns | Samsung | 28-SOP

K6X0808C1D-GF70000 - 256Kbit 5V SRAM 70ns | Samsung | 28-SOP

K6X0808C1D-GF70000 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K6X0808C1D-BF70T K6X0808C1D-GF70000
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục DRAM DRAM
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
Kích thước bộ nhớ 256 Kbit 256 Kbit
Memory Organization 32K x 8 —
Memory Interface Parallel —
Access Time 70 ns 70 ns
Write Cycle Time - Word, Page 70 ns —
Voltage - Supply 4.5 V to 5.5 V —
Nhiệt độ hoạt động -40C to +85C (TA) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Hộp 28-SOP 28-SOP
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Process Technology CMOS —
Address Bus Width 15 bit (A0-A14) 15 bit (A0-A14)
Bề rộng đường dữ liệu 8 bit (I/O0-I/O7) 8 bit (tri-state I/O)
Control Signals CE, OE, WE CE, OE, WE
I/O Compatibility TTL compatible —
Refresh Requirement None (fully static operation) —
Trạng thái RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Tổ chức — 32K x 8 bit
Giao diện — Parallel
Supply Voltage - Min — 4.5 V
Supply Voltage - Max — 5.5 V
Technology — Low Power CMOS
Input/Output Levels — TTL compatible
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Operating Current — [DATA_NEEDED: operating current]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá