K6X4008C1F-MF55 vs K6X4008C1F-MF55000 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K6X4008C1F-MF55 द्वारा Samsung Electronics और K6X4008C1F-MF55000 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K6X4008C1F-MF55 - 512Kx8 4Mbit 55ns SRAM | Samsung
K6X4008C1F-MF55 ✗ जीवन की समाप्तिSamsung Electronics
K6X4008C1F-MF55000 - 512Kx8 5V Async SRAM, 55ns | Samsung
K6X4008C1F-MF55000 ✗ जीवन की समाप्तिविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K6X4008C1F-MF55 | K6X4008C1F-MF55000 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | उत्पादन बंद | उत्पादन बंद |
| मेमोरी प्रकार | SRAM - Asynchronous | Asynchronous SRAM |
| संगठन | 512K x 8 bit | 512K x 8 |
| मेमोरी आकार | 4 Mbit | 4 Mbit |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Parallel |
| सप्लाई वोल्टेज | 5 V | 5 V |
| Technology | Full CMOS | Full CMOS |
| पैकेज | TSOP2-32 (0.400 inch, REVERSE) | 32-TSOP (reverse orientation, MF) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Data Retention | Supported, low data retention voltage/current for battery backup | Low data retention voltage supported (battery backup) |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| Address Lines | 19 (A0-A18) | — |
| Data Lines | 8 (I/O1-I/O8) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Active Current | [DATA_NEEDED: typical active current] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Operating Current | — | [DATA_NEEDED: operating current] |
| I/O Type | — | TTL-compatible, 3-state |
| Density Class | — | Parallel SRAM, 4Mbit class |