K9F2808Q0B vs K9F6408U0B तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K9F2808Q0B द्वारा Samsung Electronics और K9F6408U0B द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K9F2808Q0B - 128Mb SLC NAND Flash 1.8V 63-TBGA | Samsung
K9F2808Q0B ✗ जीवन की समाप्ति
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K9F2808Q0B | K9F6408U0B |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | उत्पादन बंद | Obsolete |
| मेमोरी प्रकार | SLC NAND Flash (parallel) | NAND Flash |
| Density | 128 Mbit | — |
| संगठन | 16M x 8 | — |
| Operating Voltage (VCC) | 1.7 V to 1.95 V | 2.7 V to 3.6 V |
| Read Access Speed | 50 ns | — |
| Cell Type | SLC (1 bit/cell) | — |
| इंटरफ़ेस | 8-bit multiplexed address/data | 8-bit multiplexed command/address/data I/O |
| पैकेज | 63-pin TBGA | 44-TSOP2 |
| Temperature Grade | C (commercial), I (industrial) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | 528 bytes (512 data + 16 spare) |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | [DATA_NEEDED: block organization from datasheet] |
| Typical Read Current (Icc1) | [DATA_NEEDED: Icc1] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | 100K program/erase cycles |
| RoHS स्थिति | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Production Status | Mass production (per legacy datasheet); now EOL/obsolete | — |
| Memory Organization | — | 8M x 8 bit (64Mbit) |
| Access Time / Cycle Time | — | 50 ns |
| Write Protect | — | Yes (WP pin) |
| Ready/Busy Output | — | Yes (R/B open-drain) |
| Operating Temperature (TCB0 grade) | — | 0C to 70C |
| Operating Temperature (TIB0 grade) | — | -40C to 85C |
| Production Status (per datasheet) | — | Mass Production (legacy; now obsolete) |