K9F2808Q0B vs K9F6408U0B So sánh

So sánh chi tiết song song của K9F2808Q0B bằng Samsung Electronics và K9F6408U0B bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K9F2808Q0B K9F2808Q0B - 128Mb SLC NAND Flash 1.8V 63-TBGA | Samsung

K9F2808Q0B - 128Mb SLC NAND Flash 1.8V 63-TBGA | Samsung

K9F2808Q0B ✗ Cuối đời
Samsung Electronics
K9F6408U0B K9F6408U0B - 64Mbit 8M x8 NAND Flash 44-TSOP2 | Samsung

K9F6408U0B - 64Mbit 8M x8 NAND Flash 44-TSOP2 | Samsung

K9F6408U0B Obsolete

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K9F2808Q0B K9F6408U0B
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Cuối chu kỳ cuộc sống Obsolete
Kiểu bộ nhớ SLC NAND Flash (parallel) NAND Flash
Density 128 Mbit —
Tổ chức 16M x 8 —
Operating Voltage (VCC) 1.7 V to 1.95 V 2.7 V to 3.6 V
Read Access Speed 50 ns —
Cell Type SLC (1 bit/cell) —
Giao diện 8-bit multiplexed address/data 8-bit multiplexed command/address/data I/O
Hộp 63-pin TBGA 44-TSOP2
Temperature Grade C (commercial), I (industrial) —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Page Size [DATA_NEEDED: page size] 528 bytes (512 data + 16 spare)
Block Size [DATA_NEEDED: block size] [DATA_NEEDED: block organization from datasheet]
Typical Read Current (Icc1) [DATA_NEEDED: Icc1] —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] 100K program/erase cycles
Trạng thái RoHS unknown [DATA_NEEDED: RoHS status]
Production Status Mass production (per legacy datasheet); now EOL/obsolete —
Memory Organization — 8M x 8 bit (64Mbit)
Access Time / Cycle Time — 50 ns
Write Protect — Yes (WP pin)
Ready/Busy Output — Yes (R/B open-drain)
Operating Temperature (TCB0 grade) — 0C to 70C
Operating Temperature (TIB0 grade) — -40C to 85C
Production Status (per datasheet) — Mass Production (legacy; now obsolete)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá