K9F2808Q0B vs K9F6408U0B موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K9F2808Q0B بذریعہ Samsung Electronics اور K9F6408U0B بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K9F2808Q0B K9F2808Q0B - 128Mb SLC NAND Flash 1.8V 63-TBGA | Samsung

K9F2808Q0B - 128Mb SLC NAND Flash 1.8V 63-TBGA | Samsung

K9F2808Q0B ✗ اختتامِ زندگی
Samsung Electronics
K9F6408U0B K9F6408U0B - 64Mbit 8M x8 NAND Flash 44-TSOP2 | Samsung

K9F6408U0B - 64Mbit 8M x8 NAND Flash 44-TSOP2 | Samsung

K9F6408U0B Obsolete

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K9F2808Q0B K9F6408U0B
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت اختتامِ زندگی Obsolete
میموری ٹائپ SLC NAND Flash (parallel) NAND Flash
Density 128 Mbit —
تنظیم 16M x 8 —
Operating Voltage (VCC) 1.7 V to 1.95 V 2.7 V to 3.6 V
Read Access Speed 50 ns —
Cell Type SLC (1 bit/cell) —
انٹرفیس 8-bit multiplexed address/data 8-bit multiplexed command/address/data I/O
پیکیج 63-pin TBGA 44-TSOP2
Temperature Grade C (commercial), I (industrial) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Page Size [DATA_NEEDED: page size] 528 bytes (512 data + 16 spare)
Block Size [DATA_NEEDED: block size] [DATA_NEEDED: block organization from datasheet]
Typical Read Current (Icc1) [DATA_NEEDED: Icc1] —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] 100K program/erase cycles
RoHS اسٹیٹس unknown [DATA_NEEDED: RoHS status]
Production Status Mass production (per legacy datasheet); now EOL/obsolete —
Memory Organization — 8M x 8 bit (64Mbit)
Access Time / Cycle Time — 50 ns
Write Protect — Yes (WP pin)
Ready/Busy Output — Yes (R/B open-drain)
Operating Temperature (TCB0 grade) — 0C to 70C
Operating Temperature (TIB0 grade) — -40C to 85C
Production Status (per datasheet) — Mass Production (legacy; now obsolete)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں