K9XXG08UXM vs K9MDG08U5M तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K9XXG08UXM द्वारा Samsung Electronics और K9MDG08U5M द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K9XXG08UXM | K9MDG08U5M |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | Obsolete | सक्रिय |
| मेमोरी आकार | 2G x 8 Bit (2Gb) | — |
| Memory Cell Array Organization | (1G + 32M) bit x 8 bit | — |
| Data Register | (2K + 64) bit x 8 bit | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 2.7 V to 3.6 V | — |
| Page Size | (2K + 64) Byte | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | (256K + 8K) Byte | [DATA_NEEDED: block size] |
| Program Operation | Automatic Page Program, (2K + 64) Byte | — |
| Erase Operation | Automatic Block Erase, (256K + 8K) Byte | — |
| I/O Interface | 8-bit multiplexed address/data/command | — |
| Control Signals | CLE, ALE, CE, RE, WE, WP, R/B | — |
| Cell Type | SLC (single-level cell) NAND | MLC (2 bits per cell) |
| पैकेज | 48-pin TSOP | 48-pin TSOP1 dual stacked, 12 mm x 20 mm |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Access Time (tR) | [DATA_NEEDED: Access Time] | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | unknown |
| मेमोरी प्रकार | — | MLC Large Block NAND Flash |
| Density | — | 16 Gbit (2 GB) |
| संगठन | — | 16G x 8 bit |
| Supply Voltage Min | — | 2.7 V |
| Supply Voltage Max | — | 3.6 V |
| इंटरफ़ेस | — | Asynchronous x8 multiplexed address/data |
| Terminals | — | 48 |
| Circuits | — | 1 |
| Die Configuration | — | Dual stacked |
| Page Read Time (tR) | — | [DATA_NEEDED: tR] |
| Program Time (tPROG) | — | [DATA_NEEDED: tPROG] |