K9XXG08UXM vs K9MDG08U5M مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K9XXG08UXM توسط Samsung Electronics و K9MDG08U5M توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K9XXG08UXM | K9MDG08U5M |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | Obsolete | فعال |
| اندازه حافظه | 2G x 8 Bit (2Gb) | — |
| Memory Cell Array Organization | (1G + 32M) bit x 8 bit | — |
| Data Register | (2K + 64) bit x 8 bit | — |
| ولتاژ تغذیه | 2.7 V to 3.6 V | — |
| Page Size | (2K + 64) Byte | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | (256K + 8K) Byte | [DATA_NEEDED: block size] |
| Program Operation | Automatic Page Program, (2K + 64) Byte | — |
| Erase Operation | Automatic Block Erase, (256K + 8K) Byte | — |
| I/O Interface | 8-bit multiplexed address/data/command | — |
| Control Signals | CLE, ALE, CE, RE, WE, WP, R/B | — |
| Cell Type | SLC (single-level cell) NAND | MLC (2 bits per cell) |
| بسته‌بندی | 48-pin TSOP | 48-pin TSOP1 dual stacked, 12 mm x 20 mm |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Access Time (tR) | [DATA_NEEDED: Access Time] | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | unknown |
| نوع حافظه | — | MLC Large Block NAND Flash |
| Density | — | 16 Gbit (2 GB) |
| سازمان | — | 16G x 8 bit |
| Supply Voltage Min | — | 2.7 V |
| Supply Voltage Max | — | 3.6 V |
| رابط | — | Asynchronous x8 multiplexed address/data |
| Terminals | — | 48 |
| Circuits | — | 1 |
| Die Configuration | — | Dual stacked |
| Page Read Time (tR) | — | [DATA_NEEDED: tR] |
| Program Time (tPROG) | — | [DATA_NEEDED: tPROG] |